国家/地区 台湾（566）
IPC部 H（566） C（315） B（204）
G（68） F（14） A（8）
D（8）
IPC大类 H01（566）
IPC小类 H01L（298） C01B（216） H01M（172）
B82Y（122） H01B（119） C23C（77）
B32B（58） H01G（57） C08K（49）
C08L（46） H05K（46） C09D（35）
C09K（29） B05D（27） H01J（23）
IPC C01B031/04（114） B82Y030/00（93） H01M004/62（91）
C01B031/02（82） B82Y040/00（78） H01M004/36（67）
C01B032/182（66） H01M010/0525（66） H01L029/16（58）
H01M004/583（58） H01L021/768（57） H01L021/02（55）
H01M010/052（55） H01B001/04（53） H01M004/133（50）
发明人 FAN S（26） LIN Y（18） YANG S（18）
LIN C（17） TAMAKI E（17） LI J（16）
CHEN C（15） LEE M（15） LI M（15）
WANG J（15） WU Y（14） CHEN Z（13）
JIANG K（12） MUELLEN K（12） HSIEH C（11）
公开年 2021（117） 2022（98） 2014（53） 2015（53） 2013（45） 2017（42） 2012（31） 2016（29） 2018（29） 2023（26） 2011（21） 2019（13） 2010（6）
申请年 2021（109）  2020（78）  2013（54）  2014（52）  2012（50）  2016（34）  2022（34）  2015（32）  2017（29）  2011（27）  2019（22）  2010（18）  2009（13）  2018（12） 
专利权人 HON HAI PREC.（36） TAIWAN SEMIC.（36） UNIV TSINGHU.（33） HONGFUJIN PR.（32）
IND TECHNOLO.（20） TORAY IND IN.（18） BASF SE（16） MAX PLANCK G.（13）
FAN S（10） SEMICONDUCTO.（10） ANJU SCI TE.（9） ENERAGE INC（9）
INT BUSINESS.（9） UNIV TAIWAN .（9） BASF CHINA C.（8） GUANGDONG HA.（8）
WANG J（8） ZING SEMICON.（8） DOKURITSU GY.（7） GRST INT LTD（7）

Semiconductor structure comprises copper conductive structure formed in dielectric layer and below at least one etch stop layer, and bi-layer liner adjacent to copper conductive structure, where bi-layer liner comprises first layer of graphene adjacent to copper conductive structure and second layer.

TSAI M, CHI C, CHANG C, CHIN S

Highly thermally conductive composite structure for use in electromagnetic shielding electronic devices, comprises metal base having joint surface on one side of metal base, and high thermal conductivity composite layer.

ZHIHONG G, BOXIANG Z, WU H

Composite gel polymer electrolyte lithium battery structure comprises electrolyte film component including separator and one electrolyte film, provided between positive electrode and negative electrode, electrolyte film being consisted of sulfolane and/or propylene carbonate, lithium salt material.

WANG M, HSUEH T, LIU S

Semiconductor package device, has molding layer formed on first surface, surrounding electronic device and covering electronic component, and solder ball formed on second surface of redistribution layer and connected to circuit layer.

LIAO S

Manufacturing anode material for battery by forming anode material doped with chromium, mixing anode material doped with chromium, first carbonaceous material and binder to form mixed mass and heating mixed mass and sintering using inert gas to form amorphous carbon-coated integrated balls.

ZHANG Z, LIN Z, LAI H, LIN C, CHANG T

Photodiode structure comprises substrate, electrode, electron transport layer, P-type semiconductor layer and N-type semiconductor layer in preset composition ratio, photoactive layer having preset thickness, and another electrode.

CHANG Y, TSAI K, ZHANG Y

Semiconductor device e.g. memory device or transistor, has two-dimensional material channel layer arranged on substrate, where 2D material passivation layer is arranged on 2D material channel layer, and source/drain contacts are arranged on 2D material passivation layer.

TSAI P, LIN S

Palladium-silver-copper alloy wire rod for use in wafer testing, comprises palladium, silver, graphene copper, indium and unavoidable impurities.

CHUANG Y H, QIU L, CHAO C Y

Active material for lithium-ion secondary battery, has core particles comprising silicon oxygen-containing material or metal silicon oxygen-containing material, amorphous group 13 or group 15 material such as boron, aluminum, gallium, indium, thallium, nitrogen and bismuth coated on core particles.

YOST A, NAREN N, KIM I, HICKS K, HAYNER C M, HA S

Apparatus for treating substrate, comprises substrate support assembly having spin head onto which substrate is seated, fluid supply unit for supplying fluid to substrate, bowl assembly having bowls overlaid to surround support assembly, and ascending and descending unit for moving bowl assembly.

LEE T Y, LI Z, LEE T